砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）是两种常用的半导体材料，它们之间有以下几个区别：

1.成分：砷化镓是一种由镓（Ga）和砷（As）元素组成的化合物。而氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物。

2.晶体结构：砷化镓具有锗化镓晶体结构，也称为锌布拉格结构，具有六方晶格。而氮化镓具有蓝宝石晶体结构，也称为六方晶格。

3.带隙宽度：砷化镓的带隙宽度较窄，约为1.43电子伏特（eV），适合用于光电器件，如激光器和光探测器。而氮化镓的带隙宽度较大，约为3.4eV，适合用于高功率电子器件，如高电压场效应晶体管（HEMT）。

4.物理性质：砷化镓具有较高的电子迁移率和载流子浓度，较低的噪声和较高的饱和电流密度，适合高频应用。而氮化镓具有较高的热导率和较高的电子迁移率，可以承受高功率和高温工作环境。

5.应用领域：由于砷化镓具有较好的光电性能，它广泛应用于光电子领域，如太阳能电池板、激光器、LED和光探测器等。而氮化镓由于其高功率特性，主要用于电力电子应用，如电源、电动汽车驱动系统和电源转换器等。

总之，砷化镓和氮化镓在成分、晶体结构、带隙宽度、物理性质和应用领域等方面存在一定差异，适用于不同的应用需求。