40%效率聚光三结电池;

GalnP₂/InGaAs/Ge结构，性能稳定;

多层减反射膜，在300-1800nm反射率低;

封装增益(针对二次镜优化减反射膜);

在500到1000倍太阳光下可稳定工作;

优化的栅线电极，提高输出效率;

双面均可焊接;

电池尺寸可按客户要求设计;

可在恶劣气候下正常工作;

产量: 3兆瓦/月。

参数

电池材料	GalnP₂/InGaAs/Ge
减反射膜	TiOx/Al₂O₃
芯片尺寸	5 * 6.1mm² ± 0.01mm²
有效面积	25 mm²
芯片厚度	175 ± 20μm
电池极性	N-P
正面电极	~6 μm
背面电极	~4 μm

500倍聚光条件下典型Ⅰ-Ⅴ曲线

光电性能

聚光倍数	Isc(A)	Voc(V)	Imp(A)	Vmp(V)	FF	Eff.
X 500	1.872	3.232	1.794	2.852	84.58%	41.93%
X 1000	3.772	3.253	3.456	2.913	82.05%	40.27%

测量条件：AM1.5G,T= 25℃,50W/cm²(x500),100W/cm²(X1000)

聚光太阳电池是用凸透镜或抛物面镜把太阳光聚焦到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。高倍聚光电池具有代表性的是三结砷化镓电池。

高光电转换效率：理论转化效率高。
宽光谱吸收：全光谱吸收95%的太阳光能量、弱光也发电。
耐温性：在390℃的条件下仍可以正常工作， 高温不敏感。
低能耗的制造过程：是晶硅光伏电池的五分之一。

禾木最先进的技术及其生产能力使得基于针对 CPV 应用优化的 III-V 族化合物半导体材料的多结太阳能电池能够实现最高效率的太阳光到电流的转换，可提供在规模化生产中。

与硅相比，III-V族材料即使在数百个太阳的浓度下也能以最低的温度系数实现高产量运行。 该系数大约比晶体硅低四倍。

禾木一直为其客户提供效率高达 40% 的三结聚光太阳能电池（在 500 倍太阳集中度下）。

为了满足各种光伏系统的个性化要求，禾木提供有效面积为10×10 mm²或5×5 mm²的标准化太阳能电池作为裸太阳能电池或组件。 此外，还可根据要求并采用全晶圆技术提供各种定制解决方案，例如调整太阳集中度、电池形状和尺寸、特殊设计等。 禾木电池已成功通过所有当前使用的光学聚光系统（带或不带二次光学器件的菲涅耳透镜、抛物面反射器和带光谱分裂的系统等）的测试。