20世纪80年代初，技术人员认为砷化镓最终将取代硅制造半导体。这是因为砷化镓中的电子移动速度是硅中的510倍

硅的优点：

1） 光电转换效率高，可靠性高

2） 先进的扩散技术，确保整个芯片转换效率的均匀性

3） 采用先进的PECVD成膜技术，在电池表面镀上深蓝色氮化硅防反射膜，颜色均匀美观

4） 使用优质金属膏制作背场和电极，确保良好的导电性

5） 低成本

砷化镓的优点：

但是GaAs（砷化镓）比Si具有更好的电子性能，因此GaAs可以用于高于250GHz的应用。如果等效的GaAs和Si元件同时在高频下工作，GaAs将产生更少的噪声。此外，因为GaAs具有更高的击穿电压，所以与相同的Si器件相比，GaAs更适合在高功率应用中操作。由于这些特性，砷化镓电路可以用于移动电话、卫星通信、微波点对点连接、雷达系统和其他地方。砷化镓被用来制造甘恩二极管、微波二极管和发射微波的甘恩二极管，这是一种具有直接能隙的材料，因此可以用来发光。硅是一种间接间隙材料，只能发射非常微弱的光。

太阳辐射的最大强度接近1.5eV，为了产生光，辐射能（HV）必须大于带隙。因此，带隙等于或小于1.5eV且吸收系数更高的半导体可以提供更好的太阳能转换效率。Si的带隙约为1.1eV，但GaAs的带隙为1.53ev。

虽然GaAs的带隙比Si的带隙高，但它的性能更好，因为它以相对较大的吸收系数从入射的太阳辐射中吸收更多的能量。

Ge与Si相比具有主要优势。Ge具有更高的电子和空穴迁移率，因此Ge器件可以比Si器件发挥更高的速率。