砷化镓（GaAs），化学式为砷化镓。黑灰色固体，熔点1238°C。它可以在600°C以下的空气中稳定存在，不受非氧化性酸的腐蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属于III-V族化合物半导体。它属于闪锌矿型晶格结构，晶格常数为5.65×10-10m，熔点为1237℃，带隙为1.4电子伏特。

在较高温度区域，效率不会降低，GaAs电池材料本身的厚度只有几微米，略小于1微米。在图案化表面涂覆Au纳米棒的GaAs太阳能电池的光伏容量大大提高了14.1%至19.9%和2.5至3.6倍。

砷化镓电池成本：

GaAs是一种用于高成本、高效率太阳能电池的重要半导体材料，其带宽使其成为世界上效率最高的太阳能电池之一。这些电池是太阳能电池行业的重要竞争对手，尤其是在需要高效率的领域。

砷化镓电池的用途是什么？

砷化镓材料具有较高的电子迁移率，是发展超高速计算机的理想器件材料。它的电子迁移率大约是硅的5倍，其操作速度也远高于硅器件。20世纪70年代和80年代，人们预测并乐观地认为砷化镓材料将在超高速计算机的发展中发挥重要作用，并在研究中投入了大量的人力和财力。然而，由于一些技术和成本问题，以及硅材料的突然出现，已经开发出了具有低工作电压、低功耗、高速度和低成本的互补金属氧化物半导体电路，可以满足当时器件的需求。因此，砷化镓的竞争压力已经形成，导致砷化镓对超高速计算机的开发暂时放缓。近年来，随着冷战的结束，许多军事技术被转移到民用。由于砷化镓材料独特的高频、高速、低噪声和低电压特性，它在信息的高频和高速传输以及数字处理中发挥着重要作用。用砷化镓材料开发的电子器件：如金属半导体场效应晶体管、高迁移率晶体管、微波单片集成电路、异质结双极晶体管（CDB）等。在移动通信、光纤通信、卫星广播通信中，硅器件在硅器件中发挥着不可替代的作用，报纸加工和其他领域。这些应用的推广极大地促进了砷化镓材料的发展。